Características Técnicas e Elétricas:

• Tipo de encapsulamento: TO-220AB

• Tensão Drain-to-Source (VDS): 200V

• Tensão Gate-to-Source (VGS): ±30V

• Corrente contínua do dreno (ID): 65A a 25°C, 46A a 100°C

• Corrente de pulso do dreno (IDM): 260A

• Resistência estática Drain-to-Source (RDS(on)): 19.7mΩ a 10V

• Dissipação de potência (PD): 330W a 25°C, 190W a 100°C

• Temperatura de operação da junção (TJ): -40°C a +175°C

• Resistência térmica: Junção-para-caso (RθJC): 0.45°C/W, Caso-para-dissipador (RθCS): 0.50°C/W, Junção-para-ambiente (RθJA): 62°C/W

Descrição e Funções dos Pinos:

1. Dreno (D): O terminal principal que carrega a corrente, conecta-se à carga.

2. Fonte (S): O segundo terminal que carrega a corrente, conecta-se ao terra.

3. Gate (G): O terminal de controle, usado para ligar e desligar o MOSFET aplicando uma tensão relativa à fonte.  

   
   

   >>>IRFB4227 DATASHEET<<<

Especificações