RENESAS

R2A20133DSP, R2A20133 - SOP8

Circuito integrado utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>R2A20133DSP DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no Whatsapp = WhatsApp . ..

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R2A20292BFT - QFP

Circuito integrado utilizados em placa BUFFERs Tvs de plasma...

R$19,90 à vista com 5.00% no PIX

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RJH30E2, 30E2 - TO220FP

Transistor utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>RJH30E2 DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no Whatsapp = WhatsApp . ..

R$9,90 à vista com 5.00% no PIX

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RJH60F7 é um IGBT de canal N de alta velocidade, projetado para aplicações de potência e chaveamento rápido. Aqui estão suas principais especificações:Características Técnicas e ElétricasTensão de coletor-emissor (VCE): 600VCorrente contínua de coletor (IC): 90ACorrente de pico de coletor (ICM): 180ATensão de porta-emissor (VGE): ±30VDissipaçã..

R$34,90 à vista com 5.00% no PIX

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RJK6026, 6026 - TO220FP

Transistor utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>RJK6026 DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no Whatsapp = WhatsApp . ..

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RJP3047, P3047 - TO3P

transistor utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>RJP3047 DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no Whatsapp = WhatsApp . ..

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RJP30E2, 30E2 - TO3P

Transistor utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>RJP30E2 DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no WhatsApp = WhatsApp ...

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RJP30E2DPP - TO220FP

Características TécnicasTipo: Transistor IGBT de canal N de alta velocidadeTecnologia de Porta: Trench gate (G5H série)Tensão de Coletor-Emissor de Saturação (VCE(sat)): 1.7V típicoTempo de Comutação: 150 ns típicoCorrente de Fuga (ICE(sat)): 1 µA máximoTensão de Alimentação Máxima (VCE</s..

R$10,90 à vista com 5.00% no PIX

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