RJP30E2DPK-M0 é um IGBT de potência da Renesas, encapsulado em TO-3P, projetado para chaveamento rápido e eficiente em aplicações de alta tensão, como fontes chaveadas e inversores. Abaixo está a descrição pronta para anúncio em seu site.

⚙️ Características principais

• IGBT N-Channel de potência

• Encapsulamento TO-3P para melhor dissipação térmica

• Tecnologia de gate em trincheira (G5H series)

• Alta confiabilidade em aplicações industriais e eletrônicas de potência

• Ideal para uso em fontes chaveadas, inversores e circuitos de alta tensão

✅ Características Elétricas

• Tensão coletor-emissor (Vces): 360 V

• Corrente máxima de coletor (Ic): 35 A

• Corrente de pico de coletor: até 200 A

• Tensão de gate-emissor (Vge): ±30 V

• Dissipação máxima de potência (Pc): 50 W

• Tensão de saturação Vce(sat): 1,7 V típico @ Ic = 35 A, Vge = 15 V

• Tempo de queda (tf): 150 ns típico

• Corrente de fuga ICES: 1 µA máx

• Temperatura de junção: -55 °C até +150 °C

⭐ Vantagens

• Alta capacidade de corrente e tensão, ideal para cargas exigentes

• Baixa tensão de saturação, garantindo eficiência energética

• Excelente desempenho em chaveamento rápido, reduzindo perdas

• Encapsulamento TO-3P facilita montagem em dissipadores de grande porte

• Confiabilidade e robustez para aplicações industriais e comerciais

>>>>RJP30E2 DATASHEET<<<<

Especificações