Características Técnicas

• Tipo: Transistor IGBT de canal N de alta velocidade

• Tecnologia de Porta: Trench gate (G5H série)

• Tensão de Coletor-Emissor de Saturação (V_CE(sat)): 1.7V típico

• Tempo de Comutação: 150 ns típico

• Corrente de Fuga (I_CE(sat)): 1 µA máximo

• Tensão de Alimentação Máxima (V_CE): 360V

• Corrente de Coletor Máxima (I_C): 35A

• Dissipação de Potência Máxima (P_c): 25W

• Pacote: TO-220FL isolado

Descrição dos Pinos

1. Coletor (C): Conecta-se ao circuito de saída.

2. Porta (G): Controla o transistor.

3. Emissor (E): Conecta-se à fonte de alimentação.

Funcionamento

O RJP30E2DPP é um transistor IGBT de canal N projetado para aplicações de comutação de alta velocidade. Ele utiliza a tecnologia de porta de trincheira para alcançar baixa tensão de saturação e alta velocidade de comutação. O transistor pode lidar com correntes de até 35A e tensões de até 360V, sendo ideal para aplicações que exigem alta eficiência e baixa perda de energia.

Vantagens

• Baixa Tensão de Saturação: Reduz a perda de energia durante a comutação.

• Alta Velocidade de Comutação: Permite aplicações de alta frequência.

• Baixa Corrente de Fuga: Melhora a eficiência energética.

• Pacote Isolado: Facilita a montagem e reduz a interferência eletromagnética.

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Especificações