RSD050N10 é um MOSFET N-channel de alta eficiência, fabricado pela ROHM Semiconductor. Aqui estão algumas das principais características elétricas, pinos e funcionamento:Características ElétricasTensão de Dreno-Fonte (V_DSS): 100 V1.Corrente de Dreno (I_D): 5 A1.Resistência de Condução (R_DS(on)): 0.135 Ω (típico) com V_GS = 10 V1.Carga Total de Po..
RSP015N10T100 é um MOSFET N-channel de potência, fabricado pela ROHM Semiconductor. Aqui estão algumas características elétricas e informações sobre os pinos e funcionamento12:Características ElétricasTensão de Dreno-Fonte (V_DS): 100VCorrente de Dreno (I_D): 1.5AResistência de Dreno-Fonte (R_DS(on)): 0.1ΩTensão de Gate-Fonte (V_GS): ±20VDissipação..