Características técnicas e elétricas

• Tipo MOSFET N Channel modo de enriquecimento

• Tensão dreno fonte 25 V

• Corrente contínua até 60 A

• Tensão porta fonte ±20 V

• RDSon típico 4.5 mΩ a VGS 10 V e 7.5 mΩ a VGS 4.5 V

• Dissipação máxima 50 W

• Encapsulamento TO 252

• Projeto de célula densa e dispositivo avalanched

• Componente livre de chumbo e compatível com RoHS

Vantagens

• Baixa resistência RDSon reduz perdas e aquecimento

• Alta capacidade de corrente para aplicações de potência

• Robustez elétrica e confiabilidade avalanched

• Encapsulamento compacto TO 252 ideal para PCBs de alta corrente

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Especificações