STF13NM60N é um MOSFET de potência de canal N desenvolvido pela STMicroelectronics. Aqui estão algumas das suas principais características técnicas e a descrição dos pinos:

Características Técnicas:

1. Tensão de Dreno-Fonte (VDS): 600V

2. Corrente de Dreno Contínua (ID): 11A

3. Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 280 mΩ (típico)

4. Dissipação de Potência (Ptot): 25W

5. Tensão de Porta-Fonte (VGS): ±25V

6. Capacitância de Entrada (Ciss): 790 pF

7. Encapsulamento: TO-220FP

Descrição dos Pinos:

1. Pin 1 (G): Gate (Porta) - O terminal de controle que regula o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.

2. Pin 2 (D): Drain (Dreno) - O terminal pelo qual a corrente flui para dentro do MOSFET.

3. Pin 3 (S): Source (Fonte) - O terminal pelo qual a corrente flui para fora do MOSFET

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Especificações