STF30NM60ND é um MOSFET de potência N-Channel da STMicroelectronics, projetado para aplicações de alta eficiência em conversores e sistemas de chaveamento. Ele combina baixa resistência de condução com rápida recuperação de diodo, oferecendo excelente desempenho em topologias de ponte e conversores ZVS.

⚙️ Características principais

• Tecnologia FDmesh™ II de segunda geração

• Estrutura vertical com layout otimizado

• Corpo com diodo de recuperação rápida integrado

• Testado 100% em avalanche

• Baixa capacitância de entrada e carga de gate

• Resistência de entrada do gate reduzida

✅ Características elétricas

• Tensão drenagem-fonte (VDS): 600 V

• Corrente de drenagem contínua (ID): 25 A @ 25 °C

• Corrente de drenagem contínua (ID): 15.8 A @ 100 °C

• Corrente de pulso (IDM): 100 A

• Resistência RDS(on): 0.13 Ω máx.

• Dissipação total: 40 W (TO-220FP)

• Tensão de isolamento: 2500 V RMS

• Temperatura de operação máxima: 150 °C

⭐ Vantagens

• Alta eficiência energética em conversores chaveados

• Redução significativa de perdas por condução

• Excelente desempenho em aplicações de alta frequência

• Ideal para topologias de ponte e conversores fase-shift ZVS

• Confiabilidade elevada com ampla margem térmica

  
  >>>STF30NM60ND DATASHEET<<<

Especificações