⚙️ Características principais

• MOSFET N‑Channel de alta eficiência desenvolvido com tecnologia MDmesh II • Tensão suportada de 600 V • Corrente contínua de até 31.5 A • Encapsulamento TO‑247 para alta dissipação térmica • Baixa resistência RDS(on) típica de 92 mΩ • Ideal para fontes chaveadas, PFC, inversores e aplicações industriais de alta potência

✅ Características elétricas

• Tensão drain‑source de 600 V • Corrente contínua a 25 graus de 31.5 A • Corrente contínua a 100 graus de 20 A • Corrente de pico de 126 A • Resistência RDS(on) máxima de 105 mΩ • Tensão de limiar do gate entre 2 e 4 V • Tensão gate‑source permitida de até 25 V • Dissipação máxima de 250 W • Temperatura de operação até 150 graus

⭐ Vantagens

• Alta eficiência energética devido à baixa resistência interna • Excelente robustez em avalanche • Baixa capacitância e baixa carga de gate, permitindo chaveamento mais rápido • Suporta altas correntes e altas tensões com segurança • Ideal para projetos que exigem alta confiabilidade e desempenho térmico

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