IPP6R160C6 é um MOSFET de potência de canal N da Infineon Technologies, pertencente à família CoolMOS™ C6, projetado para aplicações de alta eficiência energética. Aqui estão suas principais especificações:

Características Técnicas e Elétricas

• Tensão de drenagem-fonte (VDS): 600V

• Corrente de drenagem contínua (ID): 23.8A

• Resistência de condução (RDS(on)): 160mΩ

• Encapsulamento: TO-220

• Tecnologia: Superjunction MOSFET

• Alta eficiência, reduzindo perdas de potência

Descrição dos Pinos

1. Drain (Dreno): Conectado à carga

2. Source (Fonte): Conectado ao terra ou à linha de alimentação negativa

3. Gate (Porta): Controla a condução do MOSFET

Vantagens

• Baixa resistência RDS(on), garantindo menor dissipação térmica

• Alta eficiência energética, ideal para conversores de potência

• Encapsulamento TO-220, facilitando a montagem em circuitos de potência

• Tecnologia CoolMOS™ C6, melhorando desempenho em aplicações de chaveamento rápido  

  
  

  >>>IPP6R160C6 DATASHEET<<<

Especificações