⚙️ Características principais

MOSFET de potência canal N HEXFET

Modelo IRF1404

Encapsulamento TO-220AB

Tecnologia de processo avançada para baixa resistência de condução

Tensão máxima dreno fonte de 40 V

Corrente contínua de dreno de até 202 A

Temperatura de operação da junção até 175 °C

Comutação rápida para aplicações de alta eficiência

Totalmente avalanchado para maior robustez

Indicado para fontes chaveadas, inversores, controladores de motores, sistemas automotivos, carregadores e projetos de alta corrente

✅ Características elétricas

Tensão dreno fonte máxima de 40 V

Corrente contínua de dreno de 202 A

Corrente pulsada de dreno de 808 A

Resistência RDS ON máxima de 0,004 Ω

Tensão gate source máxima de ±20 V

Potência máxima de dissipação de 333 W

Carga total de gate típica de 131 nC

Transcondutância típica de 76 S

Faixa de temperatura de operação de menos 55 °C até 175 °C

⭐ Vantagens

Baixíssima resistência de condução para menor aquecimento

Alta capacidade de corrente para aplicações exigentes

Excelente eficiência energética

Comutação rápida reduzindo perdas

Elevada confiabilidade e robustez elétrica

Ideal para projetos automotivos e industriais

Encapsulamento TO-220 amplamente utilizado e fácil de instalar