Produto novo e original                      

⚙️ Características Técnicas e Elétricas

• Tipo: IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)

• Estrutura: N-Channel

• Tensão de Coletor-Emissor (Vce): 650 V

• Corrente Coletor Contínua (Ic): 15 A

• Tensão de Gate-Emissor (Vge): ±20 V

• Potência Dissipada Máxima (Pd): ~125 W

• Tempo de comutação: Rápido, ideal para aplicações de chaveamento

• Encapsulamento: Provavelmente TO-247 ou similar (verificar no datasheet)

✅ Vantagens

• Alta eficiência de comutação, reduzindo perdas térmicas

• Baixa queda de tensão Vce(sat), o que melhora a eficiência energética

• Boa robustez térmica e elétrica, ideal para inversores, fontes chaveadas e motores

• Design compacto, facilitando integração em projetos eletrônicos

>>>JT015N65FED DATASHEET<<<

Especificações