RJP30H1 é um IGBT de canal N de alta velocidade, desenvolvido pela Renesas Technology Corp, ideal para aplicações de chaveamento de potência. Aqui estão suas principais especificações:

Características Técnicas e Elétricas

• Tensão de coletor-emissor (VCE): 360V

• Corrente contínua de coletor (IC): 30A

• Corrente de pico de coletor (ICM): 120A

• Tensão de porta-emissor (VGE): ±20V

• Dissipação de potência máxima (PD): 150W

• Tempo de chaveamento: tr = 80ns (ligamento) / tf = 150ns (desligamento)

• Encapsulamento: TO-220FL (isolado)

Descrição dos Pinos

1. Coletor (C) – Saída de corrente

2. Emissor (E) – Conectado ao terra ou à linha de alimentação negativa

3. Gate (G) – Controla a condução do transistor

Vantagens

• Alta velocidade de chaveamento, ideal para aplicações de potência

• Baixa tensão de saturação (VCE(sat) = 1.5V típ.), garantindo menor dissipação térmica

• Encapsulamento isolado TO-220FL, melhorando a dissipação de calor

• Baixa corrente de fuga, aumentando a confiabilidade do circuito  

  
  

  >>>RJP30H1 DATASHEET<<<
  
  
  

Especificações