IRGB4630D é um Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) com Diodo de Recuperação Suave Ultrarrápida. Aqui estão algumas de suas principais características:

• Tensão coletor-emissor (VCES): 600V.
• Corrente contínua do coletor a 25°C (IC): 47A.
• Corrente contínua do coletor a 100°C (IC): 30A.
• Corrente de pulso do coletor (ICM) com VGE=15V: 54A.
• Corrente de carga indutiva limitada (ILM) com VGE=20V: 72A.
• Corrente contínua direta do diodo (IF) a 25°C: 30A.
• Corrente contínua direta do diodo (IF) a 100°C: 18A.
• Corrente máxima direta do diodo (IFM): 72A.
• Tensão gate-emissor contínua (VGE): ±20V.
• Tensão gate-emissor transitória (VGE): ±30V.
• Temperatura máxima de junção (TJ): 175°C.
• Resistência térmica junção-caso (RθJC):
  • D2Pak, TO-220: 0,73°C/W.
  • TO-220 Full-Pak: 3,4°C/W.
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Especificações