O transistor MOSFET 2SK3683 da Fuji Electric é um componente de alta performance, ideal para aplicações em fontes chaveadas, UPS e conversores DC-DC, oferecendo baixa resistência de condução e alta capacidade de comutação.

⚙️ Características principais

• Tipo: MOSFET de potência N-Channel

• Série: Super FAP-G da Fuji Electric

• Aplicações: Reguladores chaveados, conversores DC-DC, UPS

• Estrutura: encapsulamento TO-220F isolado

• Recursos: Alta velocidade de chaveamento, baixa potência de acionamento, avalanche-proof

✅ Características elétricas

• Tensão máxima drenagem-fonte (VDS): 500 V

• Corrente contínua de dreno (ID): ±19 A

• Corrente de pulso de dreno: ±76 A

• Tensão máxima gate-source (VGS): ±30 V

• Resistência RDS(on): 0.29 Ω típica (máx. 0.38 Ω)

• Carga total de gate (Qg): 34–51 nC

• Tempo de subida (tr): 13–19.5 ns

• Tempo de descida (tf): 8–12 ns

• Dissipação máxima de potência: 97 W (Tc=25°C)

• Temperatura de operação: -55°C a +150°C

⭐ Vantagens

• Alta velocidade de chaveamento, ideal para aplicações de alta frequência

• Baixa resistência de condução, reduz perdas e aumenta eficiência

• Capacidade de avalanche, maior robustez contra sobretensões

• Encapsulamento isolado, simplifica montagem e aumenta segurança

• Excelente relação custo-benefício para aplicações industriais e de energia

>>>2SK3683 DATASHEET<<<

Especificações