GT30F133 é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) projetado para aplicações de alta tensão e corrente, como inversores, fontes de alimentação e controle de motores. Aqui estão suas características técnicas detalhadas e confiáveis:

Características Técnicas:

• Tensão máxima de coletor-emissor (Vce): 360V

• Corrente máxima de coletor (Ic): 30A

• Tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)): Baixa, para maior eficiência energética.

• Frequência de operação: Alta, ideal para aplicações rápidas.

• Encapsulamento: TO-252 (DPAK), compacto e eficiente para dissipação térmica.

• Aplicações típicas: Conversores, inversores e circuitos de controle de motor.

• Temperatura máxima de operação: Geralmente até 150°C, dependendo do fabricante.

• Resistência térmica: Baixa, para melhor dissipação de calor.

Descrição dos Pinos:

1. Coletor (C): Entrada principal de corrente.

2. Emissor (E): Saída de corrente para o circuito.

3. Gate (G): Porta de controle que ativa ou desativa o transistor.

>>> DATASHEET GT30F133<<<

Especificações