IRG7R313U é um IGBT de tecnologia avançada de trench, projetado para aplicações em Plasma Display Panels (PDP). Ele oferece baixa tensão de saturação (VCE(on)) e alta capacidade de corrente de pico, garantindo eficiência e desempenho confiável.

Características Técnicas e Elétricas

• Tensão de coletor-emissor (VCE): 330V

• Corrente contínua de coletor (IC): 30A

• Corrente de pico de coletor (ICM): 120A

• Tensão de porta-emissor (VGE): ±20V

• Dissipação de potência máxima (PD): 150W

• Encapsulamento: TO-252 (SMD)

• Temperatura máxima de junção: 150°C

Descrição dos Pinos

1. Coletor (C) – Saída de corrente

2. Emissor (E) – Conectado ao terra ou à linha de alimentação negativa

3. Gate (G) – Controla a condução do transistor

Vantagens

• Baixa tensão de saturação, melhorando eficiência energética

• Alta capacidade de corrente de pico, ideal para aplicações de potência

• Encapsulamento compacto TO-252, facilitando montagem em circuitos SMD

• Alta confiabilidade, garantindo desempenho estável em aplicações industriais   

  
  

  >>>IRG7R313U DATASHEET<<<
  
  
  

Especificações