RSD050N10 é um MOSFET N-channel de alta eficiência, fabricado pela ROHM Semiconductor. Aqui estão algumas das principais características elétricas, pinos e funcionamento:
Características Elétricas
Tensão de Dreno-Fonte (V_DSS): 100 V1.
Corrente de Dreno (I_D): 5 A1.
Resistência de Condução (R_DS(on)): 0.135 Ω (típico) com V_GS = 10 V1.
Carga Total de Porta (Q_g): 14 nC1.
Dissipação de Potência (P_D): 15 W1.
Pinos
O RSD050N10 geralmente vem em um pacote TO-252 (DPAK) com três pinos:
Dreno (D): Conectado à carga.
Fonte (S): Conectado ao terminal negativo da fonte de alimentação.
Porta (G): Utilizado para controlar a corrente entre o dreno e a fonte.
Funcionamento
Modo de Condução: Quando uma tensão positiva é aplicada ao pino de porta (G) em relação ao pino de fonte (S), o MOSFET entra em condução, permitindo que a corrente flua do dreno (D) para a fonte (S).
Modo de Bloqueio: Sem a tensão de porta, o MOSFET permanece em estado de bloqueio, impedindo a passagem de corrente entre o dreno e a fonte.
Aplicações: Utilizado em fontes de alimentação comutadas, conversores DC-DC, controle de motores e outras aplicações de comutação de alta eficiência.
Essas características fazem do RSD050N10 uma excelente escolha para aplicações que requerem alta eficiência e controle preciso de potência.
Especificações
| Produto | TRANSISTOR |
| Tipo | MOSFET |
| Encapsulamento | TO252 |
| Polaridade | N-CHANNEL |
| Tensão | 100V |
| Corrente | 5A |
RSD050N10 - TO252
- Marca: ROHM
- Modelo: TO252
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