O GT50JR22 é um IGBT da Toshiba, ideal para aplicações em inversores ressonantes, oferecendo alta velocidade de comutação, baixa queda de tensão e robustez térmica. É uma excelente escolha para projetos que exigem eficiência e confiabilidade.

⚙️ Características principais

• Tipo: IGBT N-Channel com diodo de roda livre integrado

• Geração: 6.5ª geração RC-IGBT

• Encapsulamento: TO-3P(N)

• Aplicação: Inversores de corrente ressonante e comutação suave

• Produção comercial iniciada em 2012

✅ Características elétricas

• Tensão coletor-emissor: 600 V

• Tensão gate-emissor: ±25 V

• Corrente coletor (Tc = 25 °C): 50 A

• Corrente coletor (Tc = 100 °C): 44 A

• Corrente de pico (1 ms): 100 A

• Corrente direta do diodo: 40 A (DC), até 100 A em pulso

• Dissipação máxima: 230 W (Tc = 25 °C)

• Temperatura de junção máxima: 175 °C

• Tempo de comutação: tf = 0,05 μs (IGBT), trr = 0,35 μs (diodo)

• Queda de tensão VCE(sat): 1,55 V típica a 50 A

⭐ Vantagens

• Alta velocidade de comutação, ideal para aplicações de potência

• Baixa queda de tensão, reduzindo perdas e aumentando eficiência

• Diodo integrado, simplificando o design e reduzindo componentes externos

• Suporta altas temperaturas de operação, garantindo confiabilidade

• Encapsulamento robusto TO-3P(N), fácil de montar em dissipadores

>>>GT50JR22 DATASHEET<<<

Especificações