O PK632BA é um transistor de efeito de campo (FET) do tipo N-Channel Enhancement Mode. Vamos dar uma olhada nas características elétricas e no encapsulamento:

Características Elétricas:

Tensão Dreno-Fonte (Vdss): 30V

Corrente Contínua de Dreno (Id) a 25°C: 78A

Tensão de Threshold (Vth) entre o Gate e a Fonte: 2,35V @ 250μA

Resistência de Condução Dreno-Fonte (Rds(on)): 3,3mΩ @ 20A, 10V

Potência Máxima Dissipada (Ta=25°C): 36W

Encapsulamento:

O encapsulamento é o invólucro protetor do CI (Circuito Integrado). Ele possui terminais de metal ou “pinos” que conectam eletricamente e mecanicamente o CI a uma placa de circuito impresso

>>>PK632BA DATASHEET<<<