FAIRCHILD

FSQ0365R, FSQ 0365R, 0365R - DIP8

Circuito integrado utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>FSQ0365R DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no Whatsapp = WhatsApp . ..

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FSQ0465RS - TO220FP-6L

Características Técnicas e Elétricas do FSQ0465RSTipo: Interruptor de Potência Integrado de 650V para Operação Quase-ResonanteClasse: PWM (Modulação de Largura de Pulso) e SenseFETPotência de Saída: 48W (Flyback Converter Off-line)Faixa de Tensão de Operação: 2.5V a 8.5VEficiência: Alta eficiência através da Minimização da Tensão de ComutaçãoProteç..

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FSQ0765R - TO220FP-6L

⚙️ Características principaisComponente integrado da família Fairchild Power Switch para operação em modo quase ressonanteSenseFET interno de alta tensão de 650 VControlador PWM integrado otimizado para baixa EMIOperação com Alternating Valley Switching para maior eficiênciaOscilador interno de frequência fixaSoft-start interno para reduzir estress..

R$11,90 à vista com 5.00% no PIX

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FSQ100, Q100 - DIP8

Circuito integrado utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>FSQ100 DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no Whatsapp = WhatsApp . ..

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FSQ510 - DIP7

O FSQ510 é um controlador PWM com chave integrada da onsemi (antiga Fairchild), ideal para fontes chaveadas de até 6W com comutação por vale (valley switching), oferecendo alta eficiência e baixo ruído EMI.???? Características Técnicas e ElétricasFabricante: onsemi (ex-Fairchild Semiconductor)Tipo: Controlador PWM com SenseFET integradoTecnologia d..

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FTP20N50A, 20N50A - TO220AB

Transistor utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>FTP20N50A DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no Whatsapp = WhatsApp ...

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FYP2010DN, 2010 - TO220AB

Diodo duplo utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>FYP2010DN DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no Whatsapp = WhatsApp . ..

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G60N100 - TO264

G60N100 é um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) com Dreno de Recuperação Rápida (FRD), fabricado pela Taiwan Semiconductor Company, Ltd. Aqui estão algumas das suas principais características elétricas técnicas:Tensão de Operação: 1000VBaixa Perda de Condução: VCE(sat) = 2.5V @ IC = 60AAlta Impedância de EntradaAlta Velocidade de ComutaçãoR..

R$74,90 à vista com 5.00% no PIX

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HGTG30N60A4, G30N60A4 - TO247

transistor utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>HGTG30N60A4 DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no Whatsapp = WhatsApp . ..

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IRF640N - TO220AB

O IRF640N é um transistor MOSFET do tipo canal-N com várias características importantes para aplicações de potência. Aqui estão os detalhes:Tensão máxima dreno-fonte (Vds): 200V.Tensão máxima gate-fonte (Vgs): ±20V.Corrente máxima de dreno (Id): 18A.Resistência de estado ativo dreno-fonte (Rds): 0,180 Ohm.Potência máxima de dissipação: 125W.Carga t..

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IRG7IC28UPBF - TO220FP

Produto novo e original. IRG7IC28U é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de canal N, projetado para aplicações de comutação de alta velocidade. Aqui estão algumas das suas principais características técnicas e a descrição dos pinos:Características Técnicas:Tensão de Coletor-Emissor (VCE): 600VCorrente de Coletor Contínua (IC..

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KA1M0565R - ZIP4

KA1M0565R é um transistor integrado da família Fairchild Power Switch (FPS), hoje fabricado pela onsemi, projetado para fontes chaveadas (SMPS) com alta eficiência e proteção integrada. Ele combina um SenseFET de alta tensão com controlador PWM, ideal para aplicações em fontes de alimentação compactas e robustas.⚙️ Características Técnicas e Elétri..

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