FQPF6N60C é um MOSFET de canal N que oferece as seguintes características:

Tensão máxima dreno-fonte (VDSS): 600 V.
Corrente de dreno contínua (ID): 5.5 A a TC = 25°C e 2.3 A a TC = 100°C.
Corrente de dreno pulsada (IDM): 14.4 A.
Tensão máxima porta-fonte (VGSS): ±30 V.
Energia de avalanche pulsada única (EAS): 440 mJ.
Corrente de avalanche (IAR): 3.6 A.
Energia de avalanche repetitiva (EAR): 4.4 mJ.
Pico de recuperação de diodo dv/dt (dv/dt): 4.5 V/ns.
Dissipação de potência (PD): 44 W a TC = 25°C.
Resistência térmica, junção-ao-caso (RθJC): 2.84 °C/W.
Resistência térmica, junção-ao-ambiente (RθJA): 62.5 °C/W.
Faixa de temperatura operacional e de armazenamento (TJ, TSTG): -55 a +150 °C.

Características elétricas:

Tensão de ruptura dreno-fonte (BVDSS): 600 V.
Corrente de dreno de zero tensão de porta (IDSS): 10 μA a VDS = 600 V, VGS = 0 V.
Corrente de fuga porta-corpo, para frente (IGSSF): 100 nA a VGS = 30 V, VDS = 0 V.
Corrente de fuga porta-corpo, reversa (IGSSR): -100 nA a VGS = -30 V, VDS = 0 V.

Características de comutação:

Tensão de limiar de porta (VGS(th)): 3.0 a 5.0 V.
Resistência dreno-fonte estática (RDS(on)): 1.2 a 1.5 Ω a VGS = 10 V, ID = 1.8 A.
Transcondutância de avanço (gFS): 4.2 S.

Características dinâmicas: