O P5506BDG é um MOSFET de canal N com tensão de dreno-fonte de 60 V e corrente de dreno de até 22 A. Ele oferece baixa resistência de condução e rápida comutação, ideal para aplicações de potência.

Características técnicas e elétricas

• Tipo: MOSFET de canal N

• Tensão máxima dreno-fonte Vds: 60 V

• Tensão máxima porta-fonte Vgs: 20 V

• Corrente máxima de dreno Id: 22 A

• Dissipação máxima de potência Pd: 50 W

• Tensão de limiar da porta Vgs th: 2.5 V

• Resistência dreno-fonte em condução Rds on: 0.055 ohm com Vgs de 10 V

• Carga total da porta Qg: 12.5 nC

• Tempo de subida tr: 8 ns

• Capacitância de saída Coss: 80 pF

• Temperatura máxima de junção Tj: 150 °C

• Encapsulamento: TO-252

Vantagens

• Alta eficiência de comutação devido ao tempo de subida rápido

• Baixa resistência Rds on, reduzindo perdas de condução

• Alta capacidade de corrente, suportando até 22 A

• Boa dissipação térmica com encapsulamento TO-252

• Ideal para aplicações de chaveamento rápido como fontes chaveadas, conversores DC-DC e controle de motores

>>>>P5506BDG DATASHEET<<<<

Especificações